「内蔵ドライブ・ストレージ > 内蔵SSD」の商品をご紹介します。
Samsung990EVONVMeM.2SSD2TBPCIe4.0x4/PCIe5.0x2NVMe2.0(2280)読取り5000MB/s書き込み3200MB/s内蔵SSDゲーム/グラフィックス編集用
ゲーム パワフル:最大5000MB/秒のシーケンシャル読み取り速度と最大4200MB/秒の書き込み速度を備えた内蔵SSD(970EVOPlus2より最大43%高速)。 エネルギー効率:モダンスタンバイの旧モデル3と比較して最大70%高いエネルギー効率-長いバッテリー寿命。 多用途:PCIe4.0x4およびPCIe5.0x2との互換性により、日常のゲームや仕事だけでなく、クリエイティブなプロジェクトにも高性能。 信頼性:NANDチップ、最新の熱制御アルゴリズム、熱調節のためのダイナミックサーマルガードで効果的な熱放散のためのヒートスプレッダーラベル–一貫して高性能。 簡単なドライブ管理:ドライブのアップデートとパフォーマンスの最適化のためのユーザーフレンドリーなSamsungMagicianソフトウェア。 ボックス内容:Samsung990EVO内蔵NVMeM.2SSDMZ-V9E2T0BW、ソリッドステートドライ
43523 円 (税込 / 送料別)
Samsung990EVONVMeM.2SSD2TBPCIe4.0x4/PCIe5.0x2NVMe2.0(2280)読取り5000MB/s書き込み3200MB/s内蔵SSDゲーム/グラフィックス編集用
ゲーム パワフル:最大5000MB/秒のシーケンシャル読み取り速度と最大4200MB/秒の書き込み速度を備えた内蔵SSD(970EVOPlus2より最大43%高速)。 エネルギー効率:モダンスタンバイの旧モデル3と比較して最大70%高いエネルギー効率-長いバッテリー寿命。 多用途:PCIe4.0x4およびPCIe5.0x2との互換性により、日常のゲームや仕事だけでなく、クリエイティブなプロジェクトにも高性能。 信頼性:NANDチップ、最新の熱制御アルゴリズム、熱調節のためのダイナミックサーマルガードで効果的な熱放散のためのヒートスプレッダーラベル–一貫して高性能。 簡単なドライブ管理:ドライブのアップデートとパフォーマンスの最適化のためのユーザーフレンドリーなSamsungMagicianソフトウェア。 ボックス内容:Samsung990EVO内蔵NVMeM.2SSDMZ-V9E2T0BW、ソリッドステートドライ
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Samsung990EVONVMeM.2SSD2TBPCIe4.0x4/PCIe5.0x2NVMe2.0(2280)読取り5000MB/s書き込み3200MB/s内蔵SSDゲーム/グラフィックス編集用
ゲーム パワフル:最大5000MB/秒のシーケンシャル読み取り速度と最大4200MB/秒の書き込み速度を備えた内蔵SSD(970EVOPlus2より最大43%高速)。 エネルギー効率:モダンスタンバイの旧モデル3と比較して最大70%高いエネルギー効率-長いバッテリー寿命。 多用途:PCIe4.0x4およびPCIe5.0x2との互換性により、日常のゲームや仕事だけでなく、クリエイティブなプロジェクトにも高性能。 信頼性:NANDチップ、最新の熱制御アルゴリズム、熱調節のためのダイナミックサーマルガードで効果的な熱放散のためのヒートスプレッダーラベル–一貫して高性能。 簡単なドライブ管理:ドライブのアップデートとパフォーマンスの最適化のためのユーザーフレンドリーなSamsungMagicianソフトウェア。 ボックス内容:Samsung990EVO内蔵NVMeM.2SSDMZ-V9E2T0BW、ソリッドステートドライ
43523 円 (税込 / 送料別)
ソリダイム Solidigm 内蔵 SSD 670p 読込速度：3,500MB/秒(最大)、 M.2-2280 NVMe 、1TB / (SSDPEKNU010TZX1 /A) 国内正規流通品
【旧世代より1.5倍～2倍速度up】最新テクノロジーである144層のQLC NANDフラッシュメモリを搭載。PCI Express接続で爆速データ通信【耐久性20%向上 導入後も安心】最新テクノロジー採用により耐久性が740TBWへ増加。旧モデル（Intel SSD 665p）と比較し約20%の上昇【こんな方におすすめ】ゲームのロード時間を劇的に短縮することができるため、ゲームユーザーにおすすめ。また、PCの起動も高速化することができるため、普段使いにも最適説明 型番:SSDPEKNU512GZX1 シリーズ:SSD 670p メーカー:intel(インテル) フォームファクタ:M.2 type2280(22×80) PCIe インターフェイス:PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) ストレージタイプ:SSD 内蔵 / 外付け:内蔵タイプ 容量:1TB フラッシュメーカー:intel フラッシュタイプ:3D QLC 144Layer 読込み速度:シーケンシャルリード:最大 3500MB/sec :ランダムリード:最大 220000IOPS 書込み速度:シーケンシャルライト:最大 2500MB/sec :ランダムライト:最大 330000IOPS
18282 円 (税込 / 送料込)